工艺问题咨询

andy2000a

   

wcy2012noe 发表于 2023-6-13 09:15
（1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅 ...

1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅压为18V，或者20V的LDMOS
=> umc 0.25 bcd

      umc 0.18 bcd


但应该也有些栅压为18V，或者20V的LDMOS
=> 很少 ldmos  + 栅压为高压 ,   很少   很少   ...

栅压为高压都是DDDmos , or FDmos (field drift ) , but ,  很少看到 .  

BCD 跟 高压栅压 HV_MOS 是不同平台 .不会同存.  

（2）不知道CSMC的0.18um，Vanguard的0.25um工艺，有木有高压最小L为1.5um，1um这样的普通高压管，或者高栅压LDMOS高压管

没用过csmc bcd ,    VIS BCD 找 0.25um Lmin 小  阿 ,  不过是switch type , VIS BCD  ldmos  只有 low vgs 5v , high drian ldmos ,  

你如看到BCD 如果L 大的,那应该高压  或是很早期 BCD process , 有些BCD mos 没分 control /switch type  , 现在 ldmos 都有 switch type L会小很多 ..

BCD or HV 请找 VIS 吧 ..

haoren007

推荐华虹宏力的BCD350GE工艺，0.35um制程，高压到40V

wcy2012noe

   

andy2000a 发表于 2023-6-14 12:49
1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅压 ...

经过调研，使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)，PNMOS最小L=1um(ap5g16dn2,DDDPMOS）PMOS最小L=1.2um（ap16g16d，DDDPMOS)

andy2000a

   

wcy2012noe 发表于 2023-6-19 09:29
经过调研，使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)， ...

使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)，PNMOS最小L=1um(ap5g16dn2,DDDPMOS）PMOS最小L=1.2um（ap16g16d，DDDPMOS)


??

你有 L=0.35um 怎会是 0.5um BCD  工艺

应该说 多数 BCD 的 ldmos 都从 5v 衍生过去 5g16d , vgs=5v vds=16v   

16g16d 就 thick gate 16v ,  

DDDmos 跟 LDMOS 是不同的mos

DDDmos 一般分  asym非对称  sym对称  这两大类

LDMOS 分 LDPMOS  LDNMOS ,  ldnmos 又分 hig -hside  , low-side

Ldmos 又分 control  type , switch type  , 还有些switch type 还分不同rds_on 有不同代　

另外LDMOS 有没  vgs=1.8 or 2.5v  thin gate ldmos ??

好像看过一些都5v gate

wcy2012noe

   

andy2000a 发表于 2023-6-19 12:37
使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)，PNMOS最小L ...

目前接触到的LDNMOS，有的gate端是高压20V，18V，有些gate端是5V，L有可调的，有不可调的

萌芯小白

   

wcy2012noe 发表于 2023-6-20 10:47
目前接触到的LDNMOS，有的gate端是高压20V，18V，有些gate端是5V，L有可调的，有不可调的
...

gate端高压20V、18V的工艺是那些呀