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本帖最后由 jpwang 于 2023-1-9 14:03 编辑
各位前輩好,
目前在做two-stage OP, 應用需要的外掛電容高達 0.1u, Rpath實際上為metal 走線電阻 (約幾十歐姆)
在做step response的 transient模擬時,看到ringing現象,
但是Phase-Margin (PM)有70度。
1. 個人的認知是PM如果足夠,應該不會有ringing。
2. 另外有讀到 damping factor 參數= 0.5* (f2/GBW)^1/2,如果這個參數太小,也會有 ringing現象。
所以目前正朝著把 f2 (第一個 non-dominant pole) 往高頻推的設計方向在處理。
3. 增加 Rpath 有左半面零點的作用,增加PM, 改善 ringing現象, 但受限於驗證規格,Rpath就是只有metal走線阻值,無法再增加。
要請教a. 把 f2 往高頻推這樣的思考方向是否正確?
是不是還有其他角度可以去理解 ringing 與 PM 之間的關係。
感謝!
附上電路以及模擬圖形。
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