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[求助] 关于memory compiler生成的SRAM综合的问题

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发表于 2022-11-30 11:35:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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模块里有使用到memory compiler生成的SRAM,在进行DC综合时,同样也生成了对应的.lib文件并转换为.db文件读取。但是仍然出现以下错误:
    Compiling source file ../source/tw_64x33.v      Error: ..//source/tw_64x33.v:79: case equality (===) is not supported by synthesis. (VER-189)
问题:
     1、综合时,是不是不需要读入SRAM的.v文件?(即上述tw_64x33.v文件)
     2、具体应该怎么完成综合工作?


发表于 2022-11-30 11:43:11 | 显示全部楼层
综合读的是db或者lib,仿真用.v
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发表于 2022-12-1 15:53:27 | 显示全部楼层
综合时filelist.f中不能添加sram的行为模型.v文件,只要把.db放到link library下就行;
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 楼主| 发表于 2022-12-2 09:58:23 | 显示全部楼层
好的~谢谢楼上两位大神,已解决。
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发表于 2025-4-5 01:05:03 | 显示全部楼层


   
Bealan 发表于 2022-12-2 09:58
好的~谢谢楼上两位大神,已解决。


那sram的dc综合流程是怎么样的?还需要约束时序嘛?
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 楼主| 发表于 2025-6-27 17:37:08 | 显示全部楼层


   
JIAOFUJUN 发表于 2025-4-5 01:05
那sram的dc综合流程是怎么样的?还需要约束时序嘛?


正常的时序约束是读入 sdc 文件,约束时钟定义,端口delay等;
一般来说,综合时,将 sram 的 db 文件读进来就可以了,非特殊情况不需要对 mem 进行约束;

特殊情况有:
      如果 mem delay 特别大,是异常现象的话;就需要翻阅 mem 的 userguide 查看是否是某一些 pin 的使用出了错;
      或者翻阅 mem 的 lib 文件查看 delay 值特别大是处于哪种 case;
      不同厂商(samsung、arm) 的 mem ,需要对特定接口进行专门的钳位处理,否则 delay 会不真实;

      如果 rtl 中对某些端口的钳位出现异常,而当前还没有改代码,可以先在 sdc 中,对这个 pin 进行 set_case_analysis 约束;后续再修改 rtl 代码即可;
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