套筒式运放的设计

Sakura314 · 发表于 2022-11-11 09:06:43

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小弟最近在用gmid的方法搭建一个套筒式的单级运放，但是静态工作点总是调不对，总是会有管子不在饱和区，所以想请教一下各位前辈，如果想要每一个mos管都处于饱和区，应该怎样正确使用gmid的方法呢？谢谢大家

N3C · 发表于 2022-11-11 09:37:07

关注了

Twonej · 发表于 2022-11-11 09:44:38

不光要考虑Vgs，尤其是telescope结构低压情况下还是要考虑vds的headroom啊

Sakura314 · 发表于 2022-11-11 10:36:34

Twonej 发表于 2022-11-11 09:44
不光要考虑Vgs，尤其是telescope结构低压情况下还是要考虑vds的headroom啊

给的偏置电压已经让Vds比Vdsat大一些了

xuwenwei · 发表于 2022-11-11 10:58:05

Vds比vdsat大不就是饱和区或者亚阈值了吗，那样不就可以了吗

Sakura314 · 发表于 2022-11-11 11:07:46

xuwenwei 发表于 2022-11-11 10:58
Vds比vdsat大不就是饱和区或者亚阈值了吗，那样不就可以了吗

偏置电压是按照设计的Vdsat计算出来的，但是仿真结果不是pmos的Vds特别大，就是Nmos的Vds特别大，很难同时都饱和。所以就很疑惑是不是在用gmid的方法的时候有什么地方没有考虑到，导致Nmos和Pmos不能同时处于饱和区

Sakura314 · 发表于 2022-11-11 15:41:57

顶一下

是地底不是弟弟 · 发表于 2022-11-11 23:40:45

可以把具体电路和参数图片发出来吗，这样子文字太抽象了

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