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[求助] tsmc40nm源/漏与衬底的耐压问题

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发表于 2022-11-4 14:45:26 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式

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设计栅压自举开关时要考虑过压VDSB,VGB的耐压问题,找了工艺文档没找到,论坛里有没有了解的大侠指导一下小弟
发表于 2022-11-4 21:03:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 ipmsn5 于 2022-11-4 21:07 编辑

器件的可靠性问题,PDK的文档有的。vgs: 不要超过overdrive voltage: 一般是1.05V
vds, vgd同上

vdb: 这个不重要,因为这个和栅极没有关系,只有一个pn diode 一般可以到1.8V

Vgb: 这个介于vgs和vdb之间,原因是因为两个电压之间存在oxide和channel,所以耐压要比 vgs好,但是比 vdb差。你要问问foundry,


另外,如果你有DNW,那么可以把 well电压提高一点,问题不大
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发表于 2022-11-4 22:48:22 | 显示全部楼层


   
ipmsn5 发表于 2022-11-4 21:03
器件的可靠性问题,PDK的文档有的。vgs: 不要超过overdrive voltage: 一般是1.05V
vds, vgd同上


是在design rule文档reliability里吗?
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 楼主| 发表于 2022-11-6 00:13:09 | 显示全部楼层


   
ipmsn5 发表于 2022-11-4 21:03
器件的可靠性问题,PDK的文档有的。vgs: 不要超过overdrive voltage: 一般是1.05V
vds, vgd同上


感谢回复。我现在用的是3.3V的管子,等上班时再去找找。
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 楼主| 发表于 2022-11-7 15:07:22 来自手机 | 显示全部楼层


   
ipmsn5 发表于 2022-11-4 21:03
器件的可靠性问题,PDK的文档有的。vgs: 不要超过overdrive voltage: 一般是1.05V
vds, vgd同上



文档没找到,联系代工厂说没有这个数据
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