tsmc的IO工艺文档

能吃不想胖 · 发表于 2022-10-19 10:47:22

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12nm开始tsmc在文档中引入了combo的概念，其中提到将原来4个PVDD1CDG并联的结构，集成到一起并命名为PVDD1CDGM，而且说面积没有优化，现在我想在我的lef中验证这个问题，有了解的大神帮忙解答一下吗？或者说PVDD1CDG这个结构正常情况下是不是随着工艺进步，尺寸也在改变，因为如果每年它的尺寸也在改变那么比较就没有任何意义了，求大神解答？

能吃不想胖 · 发表于 2022-10-19 11:20:17

自己顶一下，求大神解答

leewee · 发表于 2022-10-19 14:25:18

本帖最后由 leewee 于 2022-10-19 14:26 编辑

PVDD1CDGM 是指一个 cell 出两个 PAD： VDD， VSS。同时一个cell就满足ESD 尺寸的要求。这才是 combo 的概念。
PVDD1CDG 之前是只出一个PAD： VDD。用它的时候还要加另一个 cell：PVSS1CDG 的PAD VSS。

对于一个特定的制程来说，只要ESD spec 定好了，Si 结果没问题，IO team 一般不会改变它的尺寸

能吃不想胖 · 发表于 2022-11-7 17:43:58

leewee 发表于 2022-10-19 14:25
PVDD1CDGM 是指一个 cell 出两个 PAD： VDD， VSS。同时一个cell就满足ESD 尺寸的要求。这才是 combo 的概 ...

了解啦了解啦，感谢感谢

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