求助：Soc中Memory的redundancy（冗余修复）问题

shadoww

通常，设计Soc时，如果存储器的容量比较大，那么存储器在生产时出现坏点的概率就会增加，也就是说某个地址可能用不了。为了防止因为一个坏点就导致整个IC不能用，一般会选择在存储器内设置row redundancy或者column redundancy。 但是，如果memory IP没有配备好的row redundancy或者column redundancy，此时要怎么处理呢？ 如果在外部电路自己用DFF实现一个冗余行，可能会使用太多的DFF，对时序和面积影响很大。 如果在外部自己设计一个小容量的sram用于冗余修复，替换，是否是可行的呢？查了很多论文，都没有提到有这么做的。

coolbear2021

如果memory ip本身不支持redundancy功能，可以考虑如下方法。方法一，如果memory ip可以重新生成，那就重新生成一个容量大一点的memory ip，多出的容量可以用于做坏块替换，但替换逻辑需要由控制器实现，在nvm中存储替换信息，由硬件加载或cpu加载替换映射到存储控制器，再由控制器实现地址替换。方法二，如果memory ip不可以重新生成，但可使用的容量略少也可接受，可以利用一点容量实现坏块替换，替换逻辑同样也需要由控制器完成。方法三，如果memory ip不可以重新生成，使用容量也不能变化，那只能在外部增加一块小memory或者若干寄存器组，实现坏块替换。建议采用方法一和方法二，方法三对面积影响可能比较大，尤其是使用寄存器的情况，和要替换的坏块大小以及个数都有关系。

shadoww

   

coolbear2021 发表于 2022-9-30 16:28
如果memory ip本身不支持redundancy功能，可以考虑如下方法。方法一，如果memory ip可以重新生成，那就重新 ...

谢谢回复，很有启发。