HBM/MM/CDM failure的区别？

KunKKa · 发表于 2022-11-5 09:15:00

linda1518b 发表于 2022-9-19 22:38
如果是MOS的話, HBM有可能死在中間, 但MM經常死在兩端~~參考看看

中间和两端是指什么？

sh8621 · 发表于 2022-11-23 09:01:21

u12u34 发表于 2022-9-14 18:52
CDM主要是栅击穿，HBM不好说我做过很多FA，失效的情况五花八门。如果是输入级发生ESD失效一般是软失效 ...

谢谢分享

qinyuwenzhu · 发表于 2022-11-28 13:57:51

环上失效是NPN或者PNP的失效

catherine_xxp · 发表于 2023-10-8 10:02:28

u12u34 发表于 2022-9-20 10:44
018 初版 width 2u space 5u 改版后 w没变 space拉到10了 via打满了这个问题就解决了
...

是NESD Buffer和PESD Buffer Active之间的间距么？可以取到10um这么小么？ESD Design Rule一般都要求25um以上啊。

521lkh · 发表于 2023-10-9 15:16:52

HBM&MM失效类型基本一致，没什么区别，对此，MM测试标准目前已经取消了

真诚的小鲸鱼 · 发表于 2025-1-2 11:40:22

感谢，我也是想要的

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