亚阈值区MOS管的输出阻抗是多少？

苏福人 · 发表于 2022-6-17 15:20:21

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书上鲜有资料提及亚阈值区MOS的输出阻抗，通过仿真发现受Vds影响挺大，rout的值和饱和区时候差不多，不知道可不可以使用饱和区的rout推导公式。

acging · 发表于 2022-6-17 15:44:34

亚阈值区I/V特性更接近bipolar，ro应该用bipolar公式去近似。

苏福人 · 发表于 2022-6-17 17:13:56

acging 发表于 2022-6-17 15:44
亚阈值区I/V特性更接近bipolar，ro应该用bipolar公式去近似。

找到了格雷讲三极管的书，如图所示，1/r 受电流和WB的影响，WB为基区宽度。

苏福人 · 发表于 2022-6-17 17:30:49

acging 发表于 2022-6-17 15:44
亚阈值区I/V特性更接近bipolar，ro应该用bipolar公式去近似。

看来和跨导和厄尔利电压有关

苏福人 · 发表于 2022-6-23 18:44:31

苏福人发表于 2022-6-17 17:30
看来和跨导和厄尔利电压有关

根据工艺文件中的曲线来看，输出阻抗确实和vds有关，vds越小，输出阻抗越小

gala8 · 发表于 2024-3-31 11:23:46

看一下

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