关于Latch up rule

江湖人92

如下图，DVDD Pad通过一个800ohm的电阻连接NMOS drain端，NMOS total width ~50um；Pad 同时直接连接到PMOS的Drain端，PMOS total width >2000um。那么问题来了：这几个N/P mos之间是否需要follow latch up layout rule，N+ OD到P+ OD之间拉开~20um的space？

江湖人92

   

Electri-Atom 发表于 2022-6-29 16:51
间距不需要拉开太大，只要多打几道guardring，不放心可以打双环

非常感谢！