用tsmc18rf工艺库实现一个二级米勒补偿运放，并用这个运放实现拉扎维书上带隙基准电路

CDzhang · 发表于 2022-5-23 21:37:18

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本帖最后由 CDzhang 于 2022-5-23 21:43 编辑

用前面帖子中tsmc18rf工艺库，设计一个实际运放，用这个实际运放代替拉扎维书（模拟CMOS集成电路设计)理想运放实现带隙基准。电路原理图上标注一些解释。二级米勒补偿运放增益(CSDN博主提供)：链接：https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/118551567?spm=1001.2014.3001.5501
运放增益仿真.png

带隙基准仿真结果：

dpup · 发表于 2022-5-25 18:22:04

支持下

大话天神 · 发表于 2022-5-26 15:40:29

厉害

igolaps · 发表于 2024-10-7 15:13:46

thanks

模拟monkey · 发表于 2025-2-10 21:44:40

感谢分享

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