求助，关于空白处加电容的问题

cjjiang · 发表于 2022-4-29 16:37:14

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我习惯在顶图空白处加上一些电源对地的ncap，但有些人更偏向于加pcap，他们会觉得pcap更干净？有大佬能说下加哪种更好吗？
在高频线下垫NW是什么原理，个人认为接电源不是更加影响频率吗？求大佬指教～！

1598386207 · 发表于 2022-5-5 14:07:43

nmos电子的迁移率比pmos的空穴高，充放电快，ncap要好一点，如果觉得不干净，可以加上DNW；
高频线下加NW并接上干净的电源，似乎改善不大，影响高频线的主要是寄生，用高层metal走线并且远离其他metal就可以，还可以添加DMEXCL层避免dummy寄生的影响，加NT_N层挖去p衬底，都可以减少寄生。

cjjiang · 发表于 2022-5-9 17:13:31

1598386207 发表于 2022-5-5 14:07
nmos电子的迁移率比pmos的空穴高，充放电快，ncap要好一点，如果觉得不干净，可以加上DNW；
高频线下加NW并 ...

感谢～！

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