咨询一个GGNMOS的寄生NPN导通问题

incol · 发表于 2022-3-4 10:25:00

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都说GGNMOS泄放ESD电流是靠寄生NPN导通，可是衬底P和source的N不是已经靠金属short在一起了，怎么能让NPN导通呢？

billgolden · 发表于 2022-3-4 14:20:58

内部的寄生电阻，把寄生都画出来就看明白了

level90 · 发表于 2022-3-10 15:14:50

看这个

incol · 发表于 2022-3-10 16:02:43

感觉和latch up的机理类似。可是衬底P和source N很好的连接就能避免latch up，而从这里看即使很好的连接也必然会有寄生pnp产生，似乎有矛盾，是我哪里没想清楚么？

andyfan · 发表于 2022-3-10 16:13:29

incol 发表于 2022-3-10 16:02
感觉和latch up的机理类似。可是衬底P和source N很好的连接就能避免latch up，而从这里看即使很好的连接也 ...

你的问题是没系统学习，严格来说确实很多时候机理就是一回事。

所以ESD保护器件有两个电压很重要，一个是Vtrig，一个是Vhold，trig snapback要小于二次击穿，这个应该容易理解，都热击穿，还没把sanpback trig起来，哪肯定挂了。hodl要大于VDD，就是ESD泄放完了，就恢复正常了，如果hold小于VDD，进入正反馈，就真的变成latch up了。

屏幕截图 2022-03-10 161245.png

sjc1192001 · 发表于 2022-3-11 18:14:16

你只要有漏电流经过PW，就能抬高路径中的PW 电位，电流足够大时，可以让pw N+ 正偏，寄生三极管开启

shauncc21 · 发表于 2022-3-12 11:53:16

衬底有电阻和压降的

jlayoutzm · 发表于 2022-3-15 14:23:30

level90 发表于 2022-3-10 15:14
看这个

这个图片里面为什么漏端是集电极，源端是发射极呢，是通过什么来判断的呢

level90 · 发表于 2022-3-16 09:45:10

jlayoutzm 发表于 2022-3-15 14:23
这个图片里面为什么漏端是集电极，源端是发射极呢，是通过什么来判断的呢
...

寄生NPN的电流方向。nmos漏端PN结被击穿产生的是向基级的电流

incol · 发表于 2022-3-16 10:33:11

或者这样问，需要防止GGNMOS latch up发生吗？导致GGNMOS产生latch up的NPN和泄放ESD电流的NPN是同一个NPN吗？

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