MOS管结构里，为什么DS要重掺杂？

lx331lx · 发表于 2022-1-14 09:26:15

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

我看拉扎维的视频里，他说的是，重掺杂的目的是为了跟硅良好接触以及避免二极管和整流结，这个二极管是BS BD吗？然后良好接触的原因是什么

maomao198477 · 发表于 2022-1-14 17:44:18

半导体物理看看就明白了

lx331lx · 发表于 2022-1-14 17:53:44

maomao198477 发表于 2022-1-14 17:44
半导体物理看看就明白了

麻烦说一下具体位置，因为想要单独弄懂，看整本书的效率太低。

jmf · 发表于 2022-1-14 17:57:26

lx331lx 发表于 2022-1-14 17:53
麻烦说一下具体位置，因为想要单独弄懂，看整本书的效率太低。

看金属与半导体接触的部分

lx331lx · 发表于 2022-1-14 17:59:39

jmf 发表于 2022-1-14 17:57
看金属与半导体接触的部分

好的，谢谢你

爱咋咋come · 发表于 2025-4-28 14:07:23

减小接触电阻，要不然电阻太大，源漏金属自身就会分走很多电压

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] MOS管结构里，为什么DS要重掺杂？