CMOS图像传感器系列 - 3 像素设计基础

513331385

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feynmancgz

   

513331385 发表于 2022-3-3 22:08
感谢回复。
那PPD注入浓度和FWC、耗尽区宽度W、Cpd、Vpin这些的变大变小规律我理解得有问题吗？
注入浓度 ...

这个理解基本是正确的。
更准确的是注入的整个深度和浓度共同决定了QFW，Cpd，Vpin，而耗尽层宽度主要是跟较低浓度一层相关，而通常衬底具有更低的浓度，

xywykxx

   

feynmancgz 发表于 2022-3-3 16:20
我看你画得图，我以为你知道这篇文章
Design and Evaluation of a CMOS Image Sensor with Dual-CDS and  ...

十分感谢前辈的帮助

513331385

   

feynmancgz 发表于 2022-3-4 03:01
这个理解基本是正确的。
更准确的是注入的整个深度和浓度共同决定了QFW，Cpd，Vpin，而耗尽层宽度主要是 ...

嗯嗯。谢谢。
前辈能不能给讲讲Vpin电压啊，看了一些paper还是不太懂。
PPD耗尽指的是N+区的空穴被耗尽吗？从半导体物理角度怎么分析得到这个Vpin电压的呢？

feynmancgz

   

513331385 发表于 2022-3-4 21:47
嗯嗯。谢谢。
前辈能不能给讲讲Vpin电压啊，看了一些paper还是不太懂。
PPD耗尽指的是N+区的空穴被耗尽吗 ...

。。。你可能觉得你问了一个简单的问题，可是其实你问了一个很难的问题
我自己不敢说我对Vpin理解透了，Vpin本身的定义就不唯一，可能最简单的一种定义就是整个N区都被耗尽层占满了，这个时候的电压就是Vpin；而最简单的一种测试方法就是做个JFET，然后不断的加压，测试电流。电流为0时的电压便是Vpin。
但其实还有其他定义，测试方法那就更多了。。。。
Pierre Magnan有个女学生叫Alice Pelamatti，整个PhD就只做了一件事，那就是如何准确的对pinning voltage进行建模和测量。。。
你要想了解的话，可以搜搜她的文章，我附件了她的PhD论文，你可以看看，200多页，就讲了一件事。。。

513331385

   

feynmancgz 发表于 2022-3-5 04:47
。。。你可能觉得你问了一个简单的问题，可是其实你问了一个很难的问题
我自己不敢说我对Vpin理解透了 ...

多谢回答。
这看上去确实是个简单的问题，但我也查阅了很多资料，文献，都没有说清楚的。
所以才问问前辈。
谢谢提供的资料，学习一下。

fxiaohua

大佬，我想问下，这个pinning电压和二极管的反偏电压有关系么？

colnie

问下楼主感知UV的CIS，会做哪些特殊防护吗？

feynmancgz

   

colnie 发表于 2022-3-17 09:04
问下楼主感知UV的CIS，会做哪些特殊防护吗？

首先UV的话，肯定是用BSI比较好。再是，您是指哪种UV？UV的range其实也不小，10～400nm都可以是UV。 300～400nm还好一点儿，只是QE比较低一点。300nm以下的话，可能就要开始注意了，ARC要做改变，不然QE会很低。防护的话，主要就是在表面加比较薄的passivation，这个对于具体的应用的话，可能还会稍有不同。200nm以下的UV那就更特殊了，还需要真空环境，是不？ 不过也有的UV应用是加scintillator先把UV变成绿光，再检测。

Bayamx

版主，我想在论文里借用一下4T像素版图的的图，可以吗