CMOS图像传感器系列 - 2 一些必要预备知识

lgy635

非常感谢分享~

tjy123456

专家啊

西兰花

请问楼主，是做哪方面的呀？我是高能物理的cmos传感器的asic方面，或许可以经常交流交流

feynmancgz

   

西兰花 发表于 2022-6-19 11:15
请问楼主，是做哪方面的呀？我是高能物理的cmos传感器的asic方面，或许可以经常交流交流 ...

我其实做的比较杂，但以machine vision为主吧，因为做过一些航天项目的原因，再加上自己对粒子本就感兴趣，对高能的东西也了解一点儿。但高能的东西实在太庞杂了，真的只了解一小点儿。

你不会也是国科大的吧？ 前段时间有个国科大的在eetop上问了不少高能的东西

西兰花

   

feynmancgz 发表于 2022-6-20 06:35
我其实做的比较杂，但以machine vision为主吧，因为做过一些航天项目的原因，再加上自己对粒子本就感兴趣 ...

我确实是国科大的哈哈哈，不过我刚来这儿~可能是我同学之类的。。。我搜什么关键词可以找到他的帖子或者回复呢哈哈哈

feynmancgz

   

西兰花 发表于 2022-6-21 22:11
我确实是国科大的哈哈哈，不过我刚来这儿~可能是我同学之类的。。。我搜什么关键词可以找到他的帖子或者 ...

你搜 像素探测器 应该可以找到，他好像叫 北风1号

西兰花

   

feynmancgz 发表于 2022-6-21 23:59
你搜 像素探测器 应该可以找到，他好像叫 北风1号

嚯嚯嚯找到啦！

jianbinma

必须MARK

ToCherished

继续支持，一口气看完。
这里有几个疑问，楼主有空帮忙答疑一下，感谢！
1：表面反射部分或者没有打到PD的是有个内外量子效率和总量子效率的概念吧，外部提高FillFactor。。。。内量子就和所提到这个材料有关，理解对吗？
2：量子效率这次又加深了理解，原来忽略厚度这个概念，只知道NIR外走需要更厚的epi，只要够厚最后光子都能被吸收100%，只是做激发电子还是声子或其他...
3：以前对量子效率，激发几率的差异弄混，因为有个爱因斯坦系数（受激辐射与N无关只与原子本身性质决定），这部分搞混了（可能是对单原子来说？）
4：关于1个光子产生多个电子的理解有误差，正常跃迁是光子 声子 电子的，产生多个可以理解成电子或者热能或其它动能再激发出了新的电子，然后统计出来就会>1 可以这样说么

nice92588

太强了！！！对我来说帮助很大，谢谢！