Native device layout isolation方法

ybhand0703 · 发表于 2021-11-7 15:28:19

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如题
请问各位大神
现在有一个电路用到了native device
用的是tsmc工艺有dnw ground有好几组
但NT_N这层没法放在dnw中
会报drc error
所以lvs会跟其他地有softconnnect
那这样只能用psub2解吗

bing_bing · 发表于 2021-11-8 14:46:24

native 管子天生只能直接做在衬底上。不能放在阱里这种器件自带有阻挡阱的层次 T 工艺就叫NT_N 所以是无法做到隔离的

LXS13225665126 · 发表于 2021-11-8 15:34:42

bing_bing 发表于 2021-11-8 14:46
native 管子天生只能直接做在衬底上。不能放在阱里这种器件自带有阻挡阱的层次 T 工艺就叫NT_N 所以 ...

这个native device 如果是mos,他只能是nmos吧，NT_N感觉是个标识层，

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