wafer衬底类型

小学生哦

问题一：wafer来料中的衬底是否为中性？fab中p型衬底wafer是怎么得到的？需要在拉晶切片后扩散吗？
问题二：为什么fab一般会采用P型衬底硅？

OLED721

1.衬底类型购买时是可以选择的，我记得之前直接买来就是P型的；P型是通过外延工艺搞得，不是扩散；
2.来自百度：（1）因为P衬底的少子是电子，而N衬底的少子是空穴。电子的迁移率要大于空穴的迁移率，而MOS器件是少子导电，所以采用在P衬底上可以集成速度更快的NMOSFET。而PMOS必须要做到N阱里面。
（2）从电路设计的角度，衬底如果是p类型的，那么会将衬底接地来实现pn结反偏，这样在电路设计上比较简单。毕竟是地嘛，选一个质量还行的地接上就可以了…  与之对应的，n型衬底，就要将衬底接电源，以保证pn结反偏。而事实上对于目前的soc系统，芯片上的电源会有好几种，比如1.1v 的core 电源，1.1v的soc电源，1.8v 的模拟电源，3.3v的IO电源，5v的usb电源…对于这么多电源，因为衬底是公用的，为了保证pn结一定是反偏的，那就要将n型衬底接到最高的5v电源上才行，那问题来了，在实际应用中，这个usb可能是没有被使用的，那它的5v电源就没有了，这样的话，n型衬底实际上就不知道接到了什么电压值，进而造成整个chip无法正常工作。所以，使用n型衬底对目前的soc设计而言，不是很方便…

小学生哦

   

OLED721 发表于 2021-10-8 15:42
1.衬底类型购买时是可以选择的，我记得之前直接买来就是P型的；P型是通过外延工艺搞得，不是扩散；
2.来自 ...

感谢回复，
关于问题一：所以通常foundry厂CMOS工艺都是在P型外延片基础上加工的吧？是否知道外延层厚度是多少um呢？
关于问题二：关于第一种说法，我不是很理解，如果是P型衬底，首先需要做N井来做PMOS;如果是N型衬底，首先需要做P井来生成NMOS;如果是绝缘衬底，需要同时做N井和P井；可以看出P型衬底和N型衬底都需要一次井生成，第一种说法好像说不通呢？