ESD 损伤机理请教

hilucp · 发表于 2021-6-29 21:21:05

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请教下图 Gate to Poly 这里的损伤机理是什么

图片.png

demonhunter · 发表于 2021-6-30 08:53:39

删漏击穿？

winningzhong · 发表于 2021-6-30 08:54:45

看起来更像是drain to source fail了，把poly也去掉，看看poly下面的沟道是不是也烧了

hilucp · 发表于 2021-6-30 09:16:40

winningzhong 发表于 2021-6-30 08:54
看起来更像是drain to source fail了，把poly也去掉，看看poly下面的沟道是不是也烧了 ...

Poly已经去除，沟通看起来没烧穿

winningzhong · 发表于 2021-7-1 08:44:20

hilucp 发表于 2021-6-30 09:16
Poly已经去除，沟通看起来没烧穿

这幅图就是poly已经去掉的图是吧？这一组ESD MOS就只有这个点烧掉？

mars0904 · 发表于 2021-7-1 14:11:08

还有看你这个照片，layout上面好像没有按照ESD rule去画，或者偷rule了。
确认下，这个坏点是不是在整个ESD device的最中间。要是的话，可能是因为均匀性的原因，导致烧坏了。

protecter · 发表于 2021-7-3 10:42:35

高压击穿吧？

巫_婆 · 发表于 2021-7-12 16:52:07

看起来像是高压击穿

hilucp · 发表于 2021-7-29 08:46:44

巫_婆发表于 2021-7-12 16:52
看起来像是高压击穿

请教如何判断是高压击穿的

hilucp · 发表于 2021-7-29 09:04:32

protecter 发表于 2021-7-3 10:42
高压击穿吧？

请教这个如何判断的呢

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