SCR为什么只能用于Primary ESD防护，而不能用于Secondary ESD防护？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-5 21:47:53

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在TSMC N12的ESD防护规则中，SCR为什么只能用于Primary ESD防护，而不能用于Secondary ESD防护？求大神解答

gitarrelieber · 发表于 2021-5-5 23:10:09

电压太低。

demonhunter · 发表于 2021-5-6 06:29:38

个人认为scr有个最小维持电流，ESD第二级已经没有太大的电流了，所以第二级用scr没什么意义。也可能scr触发电压高，保护不了。

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-6 12:31:47

demonhunter 发表于 2021-5-6 06:29
个人认为scr有个最小维持电流，ESD第二级已经没有太大的电流了，所以第二级用scr没什么意义。也可能scr触发 ...

ESD中SCR的IV特性曲线和NMOS管的snapback很类似，不清楚具体参数，是不是VT1（第一次触发）较高？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-6 12:34:47

gitarrelieber 发表于 2021-5-5 23:10
电压太低。

能具体详细的说明一下吗？

mars0904 · 发表于 2021-5-13 09:26:33

SCR vt1太高了，作为二级保护device很可能SCR没有打开，被保护的device已经被打坏。
要是你有确切的TLP参数，可以根据TLP参数进行ESD设计。

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-13 14:45:38

mars0904 发表于 2021-5-13 09:26
SCR vt1太高了，作为二级保护device很可能SCR没有打开，被保护的device已经被打坏。
要是你有确切的TLP参数 ...

感谢，明白

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-13 14:48:14

mars0904 发表于 2021-5-13 09:26
SCR vt1太高了，作为二级保护device很可能SCR没有打开，被保护的device已经被打坏。
要是你有确切的TLP参数 ...

如果设计时SCR的开启电压太低，容易产生闩锁，所有SCR可以用于I/O gate（厚栅管子）的二级保护

mars0904 · 发表于 2021-5-13 17:42:14

zhangyang370281 发表于 2021-5-13 14:48
如果设计时SCR的开启电压太低，容易产生闩锁，所有SCR可以用于I/O gate（厚栅管子）的二级保护

...

你只关心了VH太低有问题，那你考虑过VT1太高会怎么样吗？
VT1过高，还能保护gate吗？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-14 10:21:05

mars0904 发表于 2021-5-13 17:42
你只关心了VH太低有问题，那你考虑过VT1太高会怎么样吗？
VT1过高，还能保护gate吗？
...

明白，明白

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