谁知道IMP过程中为什么要Twist角度， 而且一般twist 22度是什么道理?

酥油茶

谁知道离子注入过程中为什么要Twist角度， 而且一般twist 22度是什么道理?

搓芯片的酋长

沟道效应（Channeling Effect）：单晶硅中的晶格原子整齐排列，在特定角度下具有很多通道。离子在某的角度下进入晶格中，仅需很低能量即可行走很长距离。沟道效应的存在使得离子穿透更深，难以设计与控制。
为了解决沟道效应，有三种办法：
1 倾斜wafer：wafer相对于离子束运动方向倾斜一个角度，使得离子与晶格发生碰撞。对于（100）wafer，倾斜角度一般7°。但与此同时，倾斜的wafer与离子的夹角会造成阴影效应（Shadowing Effect），所以注入过程中需要旋转（twist）。退火扩散也能解决阴影效应。此外，具体角度多少，需要结合晶向、工艺与机台等因素。比如深结和LDD的注入是有区别的。
2 屏蔽氧化层（Screen Oxide）
3 预非净化（Pre-Amorphous Implantation）

酥油茶

那 tilt 0/ twist 22 这种搭配基于什么考量？

搓芯片的酋长

   

酥油茶 发表于 2021-5-6 17:28
那 tilt 0/ twist 22 这种搭配基于什么考量？

没有意义。直着转，转着玩

X!xj

tilt 为0的话twist确实是转着玩，一般为了recipe的统一，会设定一个default值。
因为有时候fab里的机型不一样，twist转的方式也不同。
如果tilt不为0，twist就有意义了，除了楼上说的阴影效应，还有cone angle 效应， 主要是 single wafer 机台 为了match batch机台的performance ，会调一下twist。

hanpg2014

twist和rotation是一个意思吗？