有人见过dnw nmos，但dnw接地的毫米波工艺吗？

kanon0530

之前用的一个毫米波工艺，别的都还比较正常，但nmos自带的dnw一般是不是都是找个高电平来接的？
但这个工艺给了一个他们自己流过片的放大器，dnw直接拉到边上的ground plane，直接m1短路。
虽然说他们只允许这个nmos的S和B都接地这样来用，不允许接别的电位，理论上跟dnw有关的寄生二极管应该两头也都是地电位。
但这么接会不会还是有寄生二极管正偏风险？
或者说因为GP本身就提供了一个比较统一的地电位，mos的S、B和dnw又都是直接本地连接，大家彼此之间的电位差总是可以保证忽略不计，所以这么接应该不会二极管正偏。

那隔离噪声的作用，跟这个DNW接高电位还是低电位有关系吗？是否因为GP提供的统一地电位太有吸引力了，什么乱七八糟带着噪声的电子空穴一概都可以被它吞掉，所以也不用担心这个问题？

谢谢！

kanon0530

上班自顶~

totowo

只要你保证dnw内部的pwell和外部的psub都同样接地，其实就不怕有正偏的风险呀。dnw不接高电位通常是因为电源不够干净，而地通常干净很多。

kanon0530

   

totowo 发表于 2021-4-28 10:01
只要你保证dnw内部的pwell和外部的psub都同样接地，其实就不怕有正偏的风险呀。dnw不接高电位通常是因为电 ...

谢谢！ 也是，这个工艺自带栅格状的ground plane，要保证地电平的绝对值比较平稳还比较容易吧。
就不知道这种围着各种射频器件还有一部分会变成电感电流的返回通路的GP能不能保证干净了。可能需要把电感边上的那一部分GP跟别的GP割开，找个比较远的地方连接把。
不过最近也不做这个了，anyway还是感谢解答！