保护环悬空

forevertoyou · 发表于 2021-4-15 18:56:22

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一些DMOS 外面加了P N P类型的gurading ring 有什么作用吗？？？

无标题.png

musclerush · 发表于 2021-4-16 09:52:16

我听你的描述N应该是ISO环，第一个p是井内衬底环、第二个p是sub衬底环，两个p环不作过多解释是起衬底作用为mos管提供工作环境，n环的话是给深n井赋电位构成深井隔离预防闩锁效应。不过这三个环应该都有电位，不应该浮空的，要不你发张电路截图来看看。

wyn777999 · 发表于 2021-4-16 15:39:43

musclerush 发表于 2021-4-16 09:52
我听你的描述N应该是ISO环，第一个p是井内衬底环、第二个p是sub衬底环，两个p环不作过多解释是起衬底作用为 ...

我记得之前有的项目是这样做的，因为内部可能Nmos的电位可能是负的这样寄生的NPN就会导通，如果外面N接了电位就会从这个寄生管抽取异常电流，这是不希望看到的

forevertoyou · 发表于 2021-4-23 15:59:50

musclerush 发表于 2021-4-16 09:52
我听你的描述N应该是ISO环，第一个p是井内衬底环、第二个p是sub衬底环，两个p环不作过多解释是起衬底作用为 ...

这三个环是在外加的，不是PLDMOS PCELL里面带的环。就是这三个是guard_ring.

捕获.PNG

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