[求助] sentaurus在仿真SiC SBD终端结构问题

发表于 2021-1-14 10:46:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

悬赏100资产未解决

sentaurus在仿真SiC SBD时，肖特基接触势垒高度设置问题，元胞结构仿真正常，但仿真终端结构FLR和JTE时，势垒高度设置较低（1.2eV、1.7eV）时，仿真出现不收敛的情况，当势垒高度设置较高（2.4eV、2.7eV）时，仿真正常，百思不得其解为什么会出现这种情况，望各位大神不吝赐教！！

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