芯片管脚open drain，测量内部参考电压

海阔天空——飞 · 发表于 2020-11-25 15:17:27

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没做过测试，请问哪位大牛能帮忙解答一下：
芯片管脚是open drain结构，内部电压接到open drain的栅端，外面通过灌电流测电压的方法就能换算得到内部栅端的电压，请问这样的测量方法一般是怎么实现的？
非常感谢。

hx123 · 发表于 2020-11-25 15:46:51

这感觉不靠谱啊，按你说的这个，电流从小到大变化，电压从线性上升变成指数上升的的交界点，加上个Vth, 大致是这样

海阔天空——飞 · 发表于 2020-11-26 14:54:34

hx123 发表于 2020-11-25 15:46
这感觉不靠谱啊，按你说的这个，电流从小到大变化，电压从线性上升变成指数上升的的交界点，加上个Vth, 大 ...

能再详细点介绍一下吗？万分感谢。

hx123 · 发表于 2020-11-27 14:56:48

我没测过。按照MOS管的VDS-ID曲线，ID大致在VDS=VGS-VTH时饱和。

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