问一个关于形成导电沟道需要载流子浓度的问题

chzhenqiu · 发表于 2020-11-12 10:33:14

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本帖最后由 chzhenqiu 于 2020-11-12 14:46 编辑

各位大佬，我想请教一下，对于N沟道增强型MOS管，书上说栅极下面的自由电子浓度大于衬底空穴浓度的时候才会形成沟道，我的理解是吸引到栅极下面的电子浓度是空穴的两倍才形成沟道，一倍用来中和空穴，另外一倍成为自由电子。我觉得吸引到栅极下面的电子比空穴大一倍就可以形成沟道了，为啥是要大于两倍的电子浓度才形成沟道？

xiaomage2h · 发表于 2020-11-12 14:36:04

对于N沟道耗尽型MOS管?

chzhenqiu · 发表于 2020-11-12 14:45:06

写错，N沟道增强型

chzhenqiu · 发表于 2020-11-12 14:46:50

xiaomage2h 发表于 2020-11-12 14:36
对于N沟道耗尽型MOS管?

增强型，写错了

Jungolf · 发表于 2020-11-12 15:40:16

可变电阻区的问题？

chzhenqiu · 发表于 2020-11-12 16:20:19

Jungolf 发表于 2020-11-12 15:40
可变电阻区的问题？

差不多吧，截止区到可变电阻区之间

chzhenqiu · 发表于 2020-11-12 23:23:42

没人懂这个么

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