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查看: 3834|回复: 1

[讨论] 讨论关于分立器件WLCSP封装的解决方案

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发表于 2020-10-20 10:26:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏200资产未解决


IC器件大多为平面器件,芯片背面是没有电极的,用WLCSP封装不用考虑背面互连的问题。
但是对于器件来讲,比如Si MOS芯片背面是D极,封装后D极必须引到与S,G共面,所以面临背面互连的问题。

目前了解的有芯片端的TSV以及封装端Laser Via+Sputter工艺,这两种工艺所面临的工艺难点有哪些?有哪些厂家做得比较好呢?

 楼主| 发表于 2020-10-20 10:29:19 | 显示全部楼层
以及其它比较好的方案?及其工艺难点
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