非晶硅和Sio2的牺牲层

IR888 · 发表于 2020-7-21 10:39:54

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各位大神，

请教一下，mems 工艺资料里叙述非晶硅和Sio2可以互为牺牲层。

但是mems 工艺工程师说 HF 也腐蚀非晶硅，到底如何保证当非晶硅和Sio2可以互为牺牲层时，一方被正确释放，而保留另一方。

谢谢回答

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[原创] 非晶硅和Sio2的牺牲层