GGnmos drain端加了sab增大了电阻之后是怎样使电流变得均匀的？

bing_bing · 发表于 2020-6-9 23:02:56

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GGnmos drain端加了sab增大了电阻之后是怎样使电流变得均匀的？另外，esd来临时不是要快速地将大电流泄放掉吗，那么加了电阻岂不是阻挡电流的快速泄放？还是说这里面有某种妥协的存在？这个问题一直困扰着我。谢谢大家！

mars0904 · 发表于 2020-6-29 17:01:19

你可以这么理解，本身GGMOS的泄放机理就是当ESD电流来的时候，让管子进入npn型，进行放大泄放电流。
但是ggmos每根finger都会同时进入npn吗？要是之后几个管子先进入npn会怎样呢？
还要考虑工艺制成里面的浓度梯度的存在。

yangbiwen242 · 发表于 2020-6-29 20:41:52

加SAB实际是为了提高Vt2，最好是Vt2>Vt1,不至于有些fingers已经二次崩溃了，另外一些fingers还没触发

ttanalog · 发表于 2020-7-3 06:31:39

Thanks

hilucp · 发表于 2022-2-15 10:32:39

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