同样的电路tsmc 0.18um工艺换成smic 0.18um工艺 native nmos管子最小长度尺寸不同，可否消除极...

xidianmhp · 发表于 2019-7-26 11:23:48

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同样的电路tsmc 0.18um工艺换成smic 0.18um工艺，tsmc native nmos管子最小长度尺寸为0.5um，smic中native最小长度尺寸为1um，在这些管子当作开关或者源极跟随器的时候，可否消除极限值，将smic中native nmos的最小长度设为0.5um？从电路的可靠性或者加工角度来说为有何风险？

jamesccp · 发表于 2019-7-26 15:38:24

搞这个动作要问smic了

xidianmhp · 发表于 2019-7-29 10:56:29

jamesccp 发表于 2019-7-26 15:38
搞这个动作要问smic了

smic是不会对这个事拍板的，因为拍板就有责任，有没有tsmc换工艺到smic的版友做过类似的尝试，并且流片成功，

LGDXLP · 发表于 2019-7-30 11:04:02

xidianmhp 发表于 2019-7-29 10:56
smic是不会对这个事拍板的，因为拍板就有责任，有没有tsmc换工艺到smic的版友做过类似的尝试，并且流片成 ...

感觉流片成功的应该很少或者没有吧，毕竟各方都不会允许这种事。

victor0o0 · 发表于 2019-7-30 11:35:43

foudary给的极限尺寸可以突破，但是你要自己承担风险了

我为了降低大电阻面积修改过poly电阻的最小尺寸，没什么问题，corner variation大一些

但是电阻结构比较简单，MOS管最好不要这样试吧

xidianmhp · 发表于 2019-7-31 10:12:08

LGDXLP 发表于 2019-7-30 11:04
感觉流片成功的应该很少或者没有吧，毕竟各方都不会允许这种事。

有些情况官方不允许，但是很多公司同一套电路，自己设计的pcell，版图也很类似，在smic和tsmc同时流片，这种事情很常见，最终目标是换到smic，毕竟smic便宜些。

love1226 · 发表于 2019-8-1 14:34:02

我们有尝试过,UMC110工艺, 为了减小面积，IO部分不按DRC rule做，最后测试功能没问题，但是会漏电~~~~

2cky · 发表于 2019-8-4 16:45:45

现在讨论的比较有内容的东西太少肋。

jeffej · 发表于 2021-4-14 20:25:26

need to check smic ok or not?

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