为啥HVT是低功耗，LVT是高功耗，我验证的结果为啥不对，有人可以解释下吗？

激动的油条

楼上好大脾气，楼主仿真时，要确保Vgs ，vds，尺寸一样才对，保证gm相等并没什么用
物理概念很好理解，HVT管阈值高，漏电小，静态功耗小，LVT管阈值低，漏电大，静态功耗大
楼主加油

z1314007

Vgs都不一样。

NewYD

   

nanke 发表于 2019-7-10 09:34
楼主的仿真很天真，不知有什么逻辑关系，看到忍不住吐槽。
(1)楼主贴的那几句话写的很清楚了,翻译一下，hvt ...

自己一个人在慢慢摸索，有时候考虑的方向确实不对，层主口气虽然冲了点 - - 但是能指出问题，也是蛮感谢的。我现在的有个问题是如果要在射频器件里面考虑的话，比如说（20Ghz）LNA，应该出于哪种考量来选择这三种晶体管？

NewYD

   

激动的油条 发表于 2019-7-10 09:57
楼上好大脾气，楼主仿真时，要确保Vgs ，vds，尺寸一样才对，保证gm相等并没什么用
物理概念很好理解，HVT ...

谢谢你的回复。

nanke

   

NewYD 发表于 2019-7-10 16:00
自己一个人在慢慢摸索，有时候考虑的方向确实不对，层主口气虽然冲了点 - - 但是能指出问题，也是蛮感谢 ...

不是对楼主发脾气，是嫉妒楼主的年轻。
追求速度应该是LVT吧。没接触过RF MOS和LNA，不知道有什么特性，可以多找些资料和文档看。
就普通MOS而言，我会关注fT，gm/id，gm/cgg，噪声，mismatch等。

rayhardenne

RF电路除了特殊考虑的话，一般都会选低vth的管子

NewYD

   

rayhardenne 发表于 2019-7-11 14:46
RF电路除了特殊考虑的话，一般都会选低vth的管子

可以解释一下为什么嘛？

liuzexue

   

NewYD 发表于 2019-7-12 21:23
可以解释一下为什么嘛？

速度快啊

rayhardenne

   

NewYD 发表于 2019-7-12 21:23
可以解释一下为什么嘛？

1. LVT管在沟长>Lmin时增益比HVT管大
2. LVT管Gm/Id比HVT管大
3. LVT管Cgg小
4. LVT管噪声小
。。。
好处甚多，不好的地方也有，比如漏电大

andyfan

   

NewYD 发表于 2019-7-10 16:00
自己一个人在慢慢摸索，有时候考虑的方向确实不对，层主口气虽然冲了点 - - 但是能指出问题，也是蛮感谢 ...

这里面所谈到的功耗主要是针对数字电路，SOC来讲的。不是针对模拟和射频电路的，要知道只有在先进工艺节点才有多阈值电压的管子提供出来，0.18哪个时候是没有这个概念的。

做过数字电路的后端的，就会知道，需要速度的时候用LVT的STD CELL去换HVT CELL的CELL ，需要降POWER的时候则反之。

至于你问做射频用那种管子，这个我也不说很清楚；但可以给个大概的思路，最早的40nm LP的工艺只有三种VT，后面ULP又增加了2种VT，其中ULVT主要是针对射频应用的。也就是一般射频应用会选更低的阈值电压的管子。另外28nm的PDK里面，TSMC也是先提供的LVT/RVT这些管子的RF模型，开始的时候并没有提供HVT的RF模型，也侧面说明了射频相对这个需求小。