MOS补偿电容

levintt

请问各位前辈，为什么用MOS管做两级放大器的补偿电容时，改变工艺角MOS电容Cgg变化不大，但放大器性能却有很大改变呢？低温ss和高温ff时相位裕度和增益带宽积明显下降，该怎么理解这个现象啊？MOS做补偿电容的例子有没有前辈能分享一下，谢谢！

gxd12

把MOS换成MOM就没这个问题了？

levintt

回复 2# gxd12

您好，我们采用的是0.18um工艺，能采用MOM电容结构吗？寄生电容值会不会比较小？对面积消耗大吗？谢谢。