最慢的工艺角仿真是125摄氏度ss，还是-45摄氏度ss

the_second · 发表于 2019-1-1 15:26:42

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最慢的工艺角仿真是125摄氏度ss，还是-45摄氏度ss求助工艺角仿真时用是哪个，我要放的是反相器最慢的工艺角，在网上有看到过是125摄氏度ss仿真最慢的，但是我自己觉得温度高和电子迁移率越大，速度越慢，应该仿-45摄氏度ss

liuzexue · 发表于 2019-1-1 15:42:51

这个快慢具体还是要看你说的是什么的快慢
如果是晶体管自身的话，温度越高，阈值电压越低；ff corner下，阈值电压最低。
因此单从晶体管阈值电压Vth的角度来说，温度最高的ff是最快的。反过来，温度最低的ss是最慢的。

122013137 · 发表于 2019-1-1 17:33:51

快慢具体还是要看说的是什么的快慢啊

ericking0 · 发表于 2019-1-2 08:03:23

泛泛而谈的话，老工艺高温受限于电离杂质散射，高温更慢；比如.18以上
新点的工艺受限于阈值的负温度系数，低温更慢，比如65n以下

但是也要区分自己care的是什么，是最差corner下的电源margin呢？还是全范围的跨导呢？还是管子的Ron呢？
所以我的建议是，别偷懒了，高低温都check吧。

andyfan · 发表于 2019-1-2 08:23:20

回复 1# the_second

温度高，迁移率应该慢，因为晶格振动激烈。但高温，热激发的本征载流子浓度高，会降低vt。这两个效应是相反的。
基本上在老的工艺里面，迁移率占主导，是不需要考虑负温效应的。65nm及以下，就要考虑负温效应。

至于哪个最慢，是没有一定的，不同的电路组合，情况是不一样的，所以sign off的时候两种都要看。

the_second · 发表于 2019-1-8 13:21:10

我仿真的是带上版图上的长信号线，看驱动级（反相器）驱动能力，主要看信号的上升沿下降沿是否陡

EditorTan · 发表于 2024-4-8 19:25:39

andyfan 发表于 2019-1-2 08:23
回复 1# the_second

学习了

2339515226 · 发表于 2024-8-1 16:37:14

温度高，迁移率变低啊

IC菜鸟plus · 发表于 2024-8-1 17:13:31

一般都要看的 PVT SS只是P的一种

会飞的猪儿虫 · 发表于 2024-12-26 15:02:40

ericking0 发表于 2019-1-2 08:03
泛泛而谈的话，老工艺高温受限于电离杂质散射，高温更慢；比如.18以上
新点的工艺受限于阈值的负温度系数， ...

根据半导体物理那本书上所说的，电离杂质散射中迁移率不是和温度成正比吗？

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[求助] 最慢的工艺角仿真是125摄氏度ss，还是-45摄氏度ss

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