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示意图
问题是这样的:情况1电阻L=40um,W=0.4um
情况2电阻L=20um,W=0.4um 目前工艺规定,金属宽度超过30um就要挖slot
图1、2、3分别是覆盖金属的几种情况,但是都有问题:
图1是最理想的全覆盖(电阻体全部覆盖M1,一直到电阻体边缘sab),原先电阻尺寸是L=40um,这样横向铺M1,就得出现图3那样的情况,电阻中间slot开口的地方没有M1覆盖,导致电阻体部分有覆盖,部分没覆盖,平坦化不一致,所以就将电阻改成L=20um,个数加倍,然后按图1方式全覆盖M1(一直到电阻体边缘sab),可蛋疼的问题又来了,M1密度过大(超过90%),没办法解决
图2是沿着电阻方向覆盖M1,每条电阻覆盖一条M1(比电阻稍宽M1,横向延伸到sab边缘),每条M1间符合M1间距DRC规则,最后再横向用一条M1接GND,这样既保证了电阻体全覆盖M1,又满足了密度问题,但总感觉很别扭,不知道哪位大神,有其他的方法吗?如果直接不覆盖M1,电阻上不走线,是否更好呢?(目前采用的是图2的方式)求大神赐教 |