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原帖由 taoerfang 于 2007-10-16 09:40 发表 请问大家,不知道我这样理解可不可以: 因为pmos比nmos的迁移率小,标准的与非门和或非门中的nmos和pmos宽长比不一样,因此pmos比nmos的寄生电容大,因此pmos充电时间长,比较最长路径的延时,或非门是两 ...
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