尺寸相同，与非门和或非哪个速度快？(虹微笔试题）

boyzuo · 发表于 2007-11-3 11:57:44

这个题目的关键点是，同样大小的pmos和nmos，因为pmos的电子移动率小，所以电阻大。一般可以认为，单位尺寸，R_PMOS = 2R 或者 3R, R_NMOS = R, C_PMOS = C_NOMS = C. 画出图来，用RC模型分析一下就可以得到结果了。

flysnow000 · 发表于 2007-11-27 19:22:57

Strawhat · 发表于 2007-11-28 12:26:09

还真没有考虑过这种问题

frinos · 发表于 2007-11-29 00:32:20

感觉讲的比较详细

liubo4068206 · 发表于 2007-11-29 00:47:40

有区别吗?

huangchangsandy · 发表于 2007-11-29 09:46:50

我觉得是这样吧。

原帖由 taoerfang 于 2007-10-16 09:40 发表
请问大家，不知道我这样理解可不可以：
因为pmos比nmos的迁移率小，标准的与非门和或非门中的nmos和pmos宽长比不一样，因此pmos比nmos的寄生电容大，因此pmos充电时间长，比较最长路径的延时，或非门是两 ...

spring1860 · 发表于 2007-12-10 13:05:00

lesson learning .

hitten · 发表于 2008-9-14 11:01:20

7楼是正解。我就是学微电的

lurkerone · 发表于 2008-9-22 17:41:34

好问题！

henryliu · 发表于 2008-9-23 10:38:20

7楼基本正确，我来补充点：
由于pmos的载流子的迁移率比nmos的迁移率小，所以，同样尺寸条件下，pmos的充电时间要大于nmos的充电时间长，在互补cmos电路中，与非门是pmos管并联，nmos管串联，而或非门正好相反，所以，同样尺寸条件下，与非门的速度快，所以，在互补cmos电路中，优先选择与非门。
这个结论仅限于互补cmos电路中，同样的条件，如果是伪nmos电路，则或非门速度快，所以在伪nmos电路中，优先选择或非门。

题外话：是载流子的迁移率，不是电子的迁移率，对pmos而言，载流子是空穴；对nmos而言，载流子是电子。

原帖由 taoerfang 于 2007-10-16 09:40 发表

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请问大家，不知道我这样理解可不可以：
因为pmos比nmos的迁移率小，标准的与非门和或非门中的nmos和pmos宽长比不一样，因此pmos比nmos的寄生电容大，因此pmos充电时间长，比较最长路径的延时，或非门是两个pmo ...

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