多芯片封装产品ESD问题

mdzhic

请教各位，单芯片封装，ESD（HBM）超过6kV；多芯片（4个管芯，分正、反面两两并排摆放）封装成一个产品时，2kV或3kV就坏，不知道是什么原因？

andyjackcao

   

请教各位，单芯片封装，ESD（HBM）超过6kV；多芯片（4个管芯，分正、反面两两并排摆放）封装成一个产品时， ...
mdzhic 发表于 2018/8/23 15:00

                               
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多芯片（4个管芯，分正、反面两两并排摆放），是什么含义？

之前单芯片的ESD可以过6KV，多芯片封装就有问题，想问下，多芯片封装后，ESD电路通路是否还存在？