基于BCD工艺宽输入范围片上LDO

Luck-Yang · 发表于 2018-2-2 10:30:49

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各位能否推荐一些资料或者那些研究机构做的比较好，基于.18um BCD工艺，宽输入范围（3.8V-20V）片上LDO，保证最低电压能工作和瞬态就行

huangniuniu · 发表于 2018-2-20 08:39:35

IEEE上自己找下，另外high voltage LDO采用NMOS，考虑chargepump

guan_messi · 发表于 2022-7-26 17:15:00

楼主有找到高压LDO的资料吗，可以分享一下吗

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