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发表于 2017-12-23 09:52:33
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chenxiliang 发表于 2017-12-22 09:11
sci-hub 一般IEEE 後來有找到 ,但是一般 论文 好像沒有
0.25µm 60V高压LDMOS元件高静电防护能力设计
研究生: 李敏华
研究生(外文): LEE, MIN-HUA
论文名称: 0.25µm 60V高压LDMOS元件高静电防护能力设计
论文名称(外文): Designs of High ESD Robustness in the 0.25µm 60V HV LDMOS
100至200伏特SOI制程高压积体电路之静电放电防护设计
研究生: 黄义杰
研究生(外文): Huang, Yi-Jie
论文名称: 100至200伏特SOI制程高压积体电路之静电放电防护设计
论文名称(外文): On-Chip ESD Protection Design for High-Voltage ICs in 100 ~ 200V SOI Process
60V nLDMOS不同布局型式抗ESD能力之研
研究生: 林俊儒
研究生(外文): LIN, CHUN-JU
论文名称: 60V nLDMOS不同布局型式抗ESD能力之研究
论文名称(外文): A Study of ESD Robust Evaluation in the 60V nLDMOS with Different Layout Types
高压24V/45V/60V n/pLDMOS结构调变之抗ESD能力研究
研究生: 陈奎君
研究生(外文): CHEN, KUEI-JYUN
论文名称: 高压24V/45V/60V n/pLDMOS结构调变之抗ESD能力研究
论文名称(外文): A Study of Anti-ESD Capability by Structure Modulations in HV 24V/45V/60V n/pLDMOS Devices
SOI MOSFET 元件结构之特性探讨及应用_
研究生: 邱子芸
研究生(外文): Tzu-yun Chiu
论文名称: SOI MOSFET 元件结构之特性探讨及应用
论文名称(外文): Investigation and application of the performance of the SOI MOSFET |
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