请教关于低功耗低电压VCO

alex_fd12 · 发表于 2017-11-3 16:00:14

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各位大侠，我现在要做一个低功耗的VCO,之前做了一版本，用的是ｐｎ互补交叉管的ＬＣ结构，并且在Ｐ管的源级加了一个电流源，这样可以提高psrr抑制ＬＤＯ的噪声,电源电压1.2V,频率5G。测试下来发现可以满足指标。但是现在有一个要求，需要能在1V下工作，原来的VCO在1V下测试相位噪声很差，因为电流源P管的Vds被压缩的很厉害，使得电流源PMOS管进入线性区了，这样psrr恶化的非常严重，ldo的噪声全部进去VCO core了。所以该怎么解决这个问题？一般低电压低功耗的VCO都是用什么结构的啊？多谢了我试着只用NMOS交叉管删除PMOS交叉管来解决这个问题，但是VCO的摆幅变小了，这样做可行吗？还是有其他通用的结构。多谢了。还望各位大侠不吝赐教啊。

totowo · 发表于 2017-11-6 14:22:26

当然可行啦

各位大侠，我现在要做一个低功耗的VCO,之前做了一版本，用的是ｐｎ互补交叉管的ＬＣ结构，并且在Ｐ管的源级 ...
alex_fd12 发表于 2017-11-3 16:00

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jamesccp · 发表于 2017-11-7 16:47:09

只用N管，控制不要进入线性区，摆幅也有 2X（VDD-vds）

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