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楼主: noves

[求助] 模拟笔试的一道题

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发表于 2017-9-23 16:54:03 | 显示全部楼层
回复 9# noves


   增加驱动能力。因为最后那个NMOS一般尺寸比较大,1个inv不一定能驱动了,后面2个inv尺寸应该是逐次增大的
发表于 2017-9-24 18:07:41 | 显示全部楼层
대답 2 # noves


   Ha
 楼主| 发表于 2017-9-26 11:29:36 | 显示全部楼层
回复 11# Roy-yu


   好的,谢谢
发表于 2017-9-26 13:54:10 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2017-11-1 19:26:35 | 显示全部楼层
这是典型的power clamp设计,可以简单认为,esd脉冲来后RC没法及时反应,clamp管子短暂导通,从而泄放esd电流。实际工作机理比这复杂,电源到地打esd正电时,clamp管子衬底寄生diode反向雪崩击穿从而泄放esd电流,打负电时diode正偏泄放电流
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