基于体硅工艺和SOI工艺的LNA比较

houfeifan · 发表于 2017-8-19 09:35:30

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请教个问题，从designer的角度来看，在同一个工艺节点，基于体硅的LNA和基于SOI的LNA在RF performance上有太大差异么？如果有差异，为什么？

王大炮 · 发表于 2017-8-20 14:44:38

由于掩埋层的存在,寄生的Cbs和Cbd较体硅工艺大大减小,所以通过衬底耦合到电路模块的噪声大大减小.

红红的西瓜 · 发表于 2022-12-11 12:16:18

王大炮发表于 2017-8-20 14:44
由于掩埋层的存在,寄生的Cbs和Cbd较体硅工艺大大减小,所以通过衬底耦合到电路模块的噪声大大减小. ...

请问“寄生的Cbs”定义的是哪里的电容呢？Cbs和Cjs的区别又是什么？

ryan000 · 发表于 2023-12-13 14:51:55

你这个问题一问，别人就不想回答你了，你连最基本的都不清楚，为啥能做LNA呢

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[讨论] 基于体硅工艺和SOI工艺的LNA比较