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[求助] 关于沟道电荷注入问题

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发表于 2017-8-18 10:06:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大神,你好!拉扎维书P341,讲到当MOSFET关断时,沟道多余的电子将从源极或漏极流出。但n沟道的形成是从衬底的底部吸入大量的电子而导致反型,这样沟道关断时多余的电子应该更多流向衬底啊。为什么是源极和漏极?
发表于 2017-8-18 15:33:17 | 显示全部楼层
回复 1# wtao_1994


   我觉得是这样啊,不知道对不对。拿NMOS为例,它的bulk一般都是接最低电压0,而NMOS开关两端的电压一般都高于0,于是在开关关断的时候,两端的高电压更容易吸引电子。
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