tsmc13工艺的VCO问题求解

sekong179

一个tsmc13 1p8m工艺的3GHz的VCO，采用了PMOS和NMOS负阻管子的结构，前后仿真频率偏差很大，大概有300MHz，提取参数，发现NMOS和PMOS的寄生电容占一半左右，固定电容为MOSVAR，其寄生电容为1/4，剩下其它电路的寄生电容为1/4，电感几乎没有影响。采用的结构也是对称的，走线也比较细，个人感觉寄生电容太大了，求高手解答一下为什么会有这么大的偏差。