Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics: Devices and Modelling --- 纳米CMOS和后CMOS电子:器件和建模
对越来越小和更便携的电子设备的需求已经将具有最小可能的特征尺寸的基于金属氧化物半导体(CMOS)的技术驱动到其物理极限。这呈现各种尺寸相关的问题,例如高功率泄漏,低可靠性和热效应,并且是进一步小型化的限制。为了实现更小的电子器件,包括碳纳米管晶体管,石墨烯晶体管,隧道晶体管和忆阻器(统称为后CMOS器件)的各种纳米器件正在出现,其可以代替传统的和普遍存在的硅晶体管。