bandgap测试结果离散性很大，请各位大神支招

mikeppq · 发表于 2017-1-23 09:53:44

建议高压P管用isolated P管代替，如果有的话。注意isolated P管的耐压。

2008ql · 发表于 2017-1-23 20:20:32

回复 20# JohnHilo

同比增大当然不会了，意思是2*6/10是同比增大的最大尺寸了；如果再增大尺寸，只有增大W/L了，这样Vdast就减小了。

2008ql · 发表于 2017-1-23 20:22:03

回复 21# mikeppq

这种管子有什么好处吗

frontier · 发表于 2017-1-24 00:22:24

回复 JohnHilo

像这种高压PMOS/NMOS，工艺上限制W>=3um，L
2008ql 发表于 2017-1-22 16:41

登录/注册后可看大图

PTAT的NMOS vdsat or vod是多少呢? 是幾V的device, 電流是多大呢

mikeppq · 发表于 2017-1-24 08:33:56

回复 23# 2008ql

相对于常见的高压管，它的match比较好

JohnHilo · 发表于 2017-1-24 13:15:44

回复 22# 2008ql

Vdsat减小些没关系，WL增大，失配能大大减小，要看主要矛盾

黄礼茉 · 发表于 2017-1-24 14:14:47

回复 21# mikeppq

isolated NMOS 是不是有五个端？然后让那个多出的端（nwell）悬空来用在高压下吗？最近正在研究这种管子，不知道怎样使用，麻烦介绍一下啊

frontier · 发表于 2017-1-25 00:02:37

回复 22# 2008ql

弄錯方向了, 問題在Q3/Q4 上方的NMOS

mikeppq · 发表于 2017-2-3 16:08:45

回复 27# 黄礼茉

通常是高压nwell做ring，和n型埋层一起接高电位构成隔离。建议看它的cross-section。

kidd_han · 发表于 2017-2-4 10:40:30

fab提供蒙特卡洛的模型的话，就跑跑看，是否和实际生产的数据匹配。
如果数据匹配，那就说明mismatch没设计好。
不匹配的话再分析，应该是其他原因造成的。

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