BUCK convert design--HS fet用作LS fet

时光风筝

Hi，

有人以前用isloated 的hs nldmos 作为 isolated ls nldmos 吗？

这样是否可行？

或者有没有人在这方面吃过亏？

谢谢！

silverpuma

回复 1# 时光风筝

  可以的，没有问题。我用过iso ldnmos做上下管，都OK！

时光风筝

回复 2# silverpuma


    可否问下，
你的design是BUCK converter 吗？
VIN 最高支持多大电压？负载最大电流情况？

我现在工艺不提供ls fet， 因此想把 isolated hs nldmos 作为ls 用，但是工艺厂家说有breakdown的risk ，还在和他们讨论，但是我想知道这里都有哪些risk存在？

你以前try过这种case是吧，测试以及量产均没有问题是吧？

谢谢！

silverpuma

回复 3# 时光风筝


   没有问题的。我们现在32V输入，输出5V/3A；36V输入，输出5V/3A。耐压可以通过调整LDNMOS管的vgs实现的。   
   ISO LDNMOS是用BN隔离的。你只要保证其他内部电路的耐压够好就行。   一般来说，ISO的比no-ISO的反向耐压要低，但是实际上达不到反向耐压，高压MOS管的工作耐压更容易坏。

时光风筝

回复 4# silverpuma


谢谢！
从上面的波形来看，其耐压值在VGS=5V 的时候只有33V ， 兄弟居然design了36V的BUCK，非常厉害，你是通过调整Vgs 来实现的吗？

这样应该会对Rdson 以及效率有一定的影响！



我们想把下面的HS 该为LS 使用，但是fab一直说在NDT（@drain）和
NBL（@ISO-ring）会有punchthrough的风险，但是我觉得实际上HS 更worst ，如果HS 可以使用，那么LS一定也可以的呀！
不是很理解！

HS

LS

LS

silverpuma

回复 5# 时光风筝

   权衡面积和导通电阻，设置vgs，控制工作电压的。
   应该不会有问题的。HS都OK了，想不明白LS为什么不行？    我们工艺里面有no-iso的管子，我没有用。特意用iso的管子做下管，隔离噪声去的。

时光风筝

回复 6# silverpuma


    可否聊聊，联系方式私信你啦，谢谢！

qiwentuo

回复 5# 时光风筝

最后用iso管的可以的吧！如果是dongbu5045的工艺，iso不能不能接高压的，比如做LDO的大管，vin=30v接iso，管子会坏的

mycelldevice

   

qiwentuo 发表于 2019-1-11 14:52
回复 5# 时光风筝

最后用iso管的可以的吧！如果是dongbu5045的工艺，iso不能不能接高压的，比如做LDO的大 ...

LDO都能坏，看来工艺问题有点坑

merenguelee

   

mycelldevice 发表于 2025-6-9 17:58
LDO都能坏，看来工艺问题有点坑

现在用的就是DBH，还在纠结那个ISO接高电位还是GND。。。