为什么这个LDO后仿有纹波啊~

typhoon222 · 发表于 2016-3-14 20:20:14

带片外电容的LDO，IOUT<12uA,前后仿都没有纹波；IOUT>12uA时，前仿没有，后仿有20几纳伏的纹波，为什么呢？
QQ截圖20160314201949.png

semico_ljj · 发表于 2016-3-14 20:20:15

回复 10# typhoon222

20nV的纹波，可信度都是问题。还是搞好其他的要点吧。

看你的实际需求，

slq402 · 发表于 2016-3-14 21:26:53

谢谢分享

shykongxin · 发表于 2016-3-15 10:22:44

负载电流变大后，header对负载电容充电的电流（以及负载对负载电容的放电电流）都会变大，如果EA的带宽有限，那么输出电压上就会出现纹波（充放电过头）。增大输出电容可以减小ripple。

shykongxin · 发表于 2016-3-15 10:29:52

实际上，LDO都应该是有纹波的，只是纹波大小的问题，你需要综合考虑低负载时的稳定性以及纹波的大小。具体看你设计的spec

typhoon222 · 发表于 2016-3-15 13:56:43

负载电流变大后，header对负载电容充电的电流（以及负载对负载电容的放电电流）都会变大，如果EA的带宽有限 ...
shykongxin 发表于 2016-3-15 10:22

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header? 之前增大C0从1u到4u试了下，纹波没变啊~为什么前仿没有纹波呢？

sea11038 · 发表于 2016-3-15 15:17:23

回复 1# typhoon222

后仿20几纳伏的纹波。。。我觉得完全可以忽略了吧

kidd_han · 发表于 2016-3-15 15:38:00

这有可能是仿真算法的原因吧。选gear2或trapgear2可能会改善。

semico_ljj · 发表于 2016-3-15 16:08:43

回复 1# typhoon222

20几纳伏的纹波???!!!仿真精度问题！

typhoon222 · 发表于 2016-3-15 16:10:17

这有可能是仿真算法的原因吧。选gear2或trapgear2可能会改善。
kidd_han 发表于 2016-3-15 15:38

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喔试了下只是纹波的形状变了下没有改善~

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