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楼主: tobytian

[求助] 有关基准问题

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发表于 2015-12-10 19:36:55 | 显示全部楼层
回复 6# tobytian

设计阶段就校准好像不太可能,因为工艺变化后电路参数变化很大。就我了解似乎是流片后,用trim技术来修调,具体我也不太清楚。文献肯定很多。
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发表于 2015-12-11 00:04:35 | 显示全部楼层
回复 10# tobytian


    MOS基准也得分是什么情况,如迁移率和VTH进行补偿的基准,ΔVGS与VGS补偿的基准和VTH本身加权相减的基准,看是什么电路,具体问题再分析
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