latchup问题&ESD问题

microuser · 发表于 2017-7-6 18:39:30

谢谢分享

hahalucky · 发表于 2017-7-17 08:49:43

x谢谢分享！

goran · 发表于 2017-7-29 01:44:00

Thanks good

jueduilk · 发表于 2017-8-16 09:39:25

谢谢分享

max_max · 发表于 2017-8-23 01:14:32

cmos设计规则一般都有衬底覆盖率检查,MOS寄生三级管的发射极电压是通过POWER到S/D端的寄生电阻钳位的,如果寄生电阻过大,发射极容易正偏而引发latchup,同样如果S/D扩散区到nw的寄生电阻过小,也容易发生latchup.

巍峨山 · 发表于 2017-9-12 10:22:16

谢谢分享

巧克力的冬天 · 发表于 2017-9-14 09:07:51

感谢分享

魔术手 · 发表于 2017-10-8 23:34:36

感谢分享

a495136580 · 发表于 2017-10-10 10:00:08

thanks for sharing

叭叭乐 · 发表于 2017-10-25 18:59:24

谢谢分享

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