ASMC工艺中，有一种BCD的工艺，其中metal层有选择

Desingman

andy2000a

   

Desingman 发表于 2017-11-6 17:04

                               
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    一般FAB 如果 metal density 不够会自己补 dummy pattern . LAYOUT软体会自己GDS 加.
因为工艺须考虑平坦化等问题 , metal slot or density 都须要考虑.
你没有画的空白区, FAB 会自己帮你补.

不过出问题要FIB 就要挖

Lcy_001

请问楼主解决了吗，遇到了相同问题

FrankWang222

   

tezhi 发表于 2017-4-23 20:39
M2與M3會是相同走線，但M3會是dummy，沒有接VIA2，所以沒有影響到你的layer層次，只是在做M2 FIB實驗需多挖 ...

M2 FIB實驗挖M3是什么意思？

FrankWang222

   

andy2000a 发表于 2017-11-8 11:43
一般FAB 如果 metal density 不够会自己补 dummy pattern . LAYOUT软体会自己GDS 加.
因为工艺须考 ...

出问题要FIB 就要挖，是什么意思？

andy2000a

   

FrankWang222 发表于 2023-7-11 16:10
出问题要FIB 就要挖，是什么意思？

Metal density 要求下会 补dummy metal , 会盖在 metal2 上面拉 ..很多补dummy 是EDA  随机产生的 .

还有些FAB 端补dummy pattern , 就是 你 TAPEOUT GDS上 "没 看到dummy metal " , 但  , 最后 CHIP 上有盖,  

Debug 会增加困难 .  你METAL2 需 FIB 刚好上面 盖metal3 , 需挖开metal3啊

FrankWang222

   

andy2000a 发表于 2023-7-14 08:41
Metal density 要求下会 补dummy metal , 会盖在 metal2 上面拉 ..很多补dummy 是EDA  随机产生的 .
还有 ...

谢谢

xieye1986520

fab工艺还是高端的

cd1992

我看没人从单个客户角度说FAB怎么做的。

cd1992

举个例子，如果你是M1+TM,而其他家是M1+M2+TM. 有个误区就是很多FAB对于MPW都是一片晶圆对应一个客户，意思就是切割掉你自己的部分，别的都直接扔了。除非有哪些客户的层次一摸一样，才会涉及到分割的。如果你只有M1+TM，你和大部队客户晶圆在跑完相同的M1之后你就被分批出去单独跑特殊的TV TM flow，而别的客户继续跑v1 M2。最后跑完TM一起再dep passivation